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IRFD9120
規(guī)格信息：

FET 類型：P 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：390pF @ 25V

功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 600mA，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封裝/外殼：4-DIP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRFD9120

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
IRFD9120	1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET	INTERSIL[Intersil Corporation]	52.74 Kbytes	共6頁	IRF9520,IRFD9110,RFP8P10,IRFD9110,IRFF9120,IRFP9140,IRFP9150,IRF9510,HUF76645P3,RFP12N10L	產(chǎn)品購買
IRFD9120	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A)	IRF[International Rectifier]	173.72 Kbytes	共6頁	SBF50P10-023L,SHD224701,JANTX2N6782,JANTX2N6845,SHD225701,SHD244702,IPS0551T,SSH6N90A,IRFD120,DE275-501N16	產(chǎn)品購買
IRFD9120	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1875.03 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買
IRFD9120PBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1875.03 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買
IRFD9120PbF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1A 漏源電壓（Vdss）：-100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：600mΩ @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	1.85 Mbytes	共8頁		產(chǎn)品購買