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IRFD9113
規(guī)格信息：

標準包裝：2,500

類別：分立半導體產品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：管件

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：600mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.6 歐姆 @ 300mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：15nC @ 15V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：250pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

介紹圖IRFD9113
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IRFD9113-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs HARRIS[Harris Corporation]HARRIS[Harris Corporation]的LOGO-天天IC網342.88 Kbytes共6頁IRFD9113的PDF文件地址RFH25P08,RFL1P08,RFP2P08,RFP6P08,RFP8P08,IRF9230,IRFAC40,IRFBC40,FSL913A0D,FSS9130D IRFD9113的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IRFD91131-WATT RATED POWER MOSFETs IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網218.22 Kbytes共6頁IRFD9113的PDF文件地址RFP30N06LE,RFP70N03,RLD03N06CLE,RFD16N03L,RFD15N06LE,RLD03N06CLE,RFG45N06,IRF530R,RFP30N06LE,RFG60P03 IRFD9113的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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