FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：19nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：570pF @ 25V
功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：280 毫歐 @ 960mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼：4-DIP
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs