制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.8 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:124 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:214 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:OptiMOS
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
系列:OptiMOS 5
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值:100 S
下降時(shí)間:19 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:51 ns
典型接通延遲時(shí)間:24 ns
零件號(hào)別名:IPP020N06NAKSA1 IPP2N6NXK SP000917406
單位重量:6 g