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IPN80R900P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：900.0m?

IDpuls max：14.0A

VDS max：800.0V

ID max：6.0 A

QG (typ @10V)：15.0 nC

Package：SOT-223

Operating Temperature min max：-55.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.36

Ptot max：7.0W

Polarity：N

Qgd：6.0 nC

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：160.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPN80R900P7
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPN80R900P7800V CoolMOS?a P7 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網1043.75 Kbytes共13頁IPN80R900P7的PDF文件地址 IPN80R900P7的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPN80R900P7ATMA1MOSFET LOW POWER_NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1.19 Mbytes共13頁IPN80R900P7ATMA1的PDF文件地址 IPN80R900P7ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPN80R900P7ATMA1MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1.13 Mbytes共13頁IPN80R900P7ATMA1的PDF文件地址 IPN80R900P7ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPN80R900P7ATMA1連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：800V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 110uA 漏源導通電阻：900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 類型：N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網1.13 Mbytes共13頁IPN80R900P7ATMA1的PDF文件地址 IPN80R900P7ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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