完美世界国际版下载,旷世神医

IPN70R900P7S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：900.0m?

IDpuls max：12.8A

VDS max：700.0V

ID max：6.0 A

QG (typ @10V)：6.8 nC

Package：SOT-223

Operating Temperature min max：-40.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.17

Ptot max：6.5W

Polarity：N

Qgd：2.6 nC

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：160.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPN70R900P7S

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPN70R900P7S	700V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1029.31 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IPN70R900P7SATMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.18 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IPN70R900P7SATMA1	MOSFET N-CH 700V 6A SOT223	Infineon Technologies	1023.14 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IPN70R900P7SATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 60uA 漏源導(dǎo)通電阻：900mΩ @ 1.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.5W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1023.23 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買