斗破苍穹续集,古风,有声读物

IPN60R360P7S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：360.0m?

IDpuls max：26.0A

VDS max：600.0V

ID max：9.0 A

QG (typ @10V)：13.0 nC

Package：SOT-223

Operating Temperature min max：-40.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.29

Ptot max：7.0W

Polarity：N

Qgd：4.0nC

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：160.0K/W

VGS(th) min max：2.0 V 4.0 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPN60R360P7S

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPN60R360P7S	600V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1032.59 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPN60R360P7SATMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.14 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPN60R360P7SATMA1	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223	Infineon Technologies	1.20 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPN60R360P7SATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 140uA 漏源導(dǎo)通電阻：360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.2 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買