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IPN70R360P7S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：360.0m?

IDpuls max：34.0A

VDS max：700.0V

ID max：12.5 A

QG (typ @10V)：16.4 nC

Package：SOT-223

Operating Temperature min max：-40.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.29

Ptot max：7.2W

Polarity：N

Qgd：6.0nC

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：160.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPN70R360P7S
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPN70R360P7S700V CoolMOS?a P7 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1014.92 Kbytes共13頁IPN70R360P7S的PDF文件地址 IPN70R360P7S的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R360P7SATMA1MOSFET CONSUMERInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.15 Mbytes共13頁IPN70R360P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R360P7SATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R360P7SATMA1MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1008.76 Kbytes共13頁IPN70R360P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R360P7SATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R360P7SATMA1連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：12.5A 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 150uA 漏源導通電阻：360mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.2W 類型：N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)1008.40 Kbytes共13頁IPN70R360P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R360P7SATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R360P7S相關型號規(guī)格信息
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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