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IPN60R3K4CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：3400.0m?

IDpuls max：3.9A

VDS max：600.0V

ID max：2.6A

Package：SOT-223

QG：4.6nC

Budgetary Price ?€/1k：0.1

Ptot max：5.0W

Polarity：N

Qgd：2.6nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：75.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPN60R3K4CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPN60R3K4CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1048.94 Kbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPN60R3K4CEATMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.20 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPN60R3K4CEATMA1	MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223	Infineon Technologies	1.18 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPN60R3K4CEATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：2.6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 40uA 漏源導(dǎo)通電阻：3.4Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.18 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買