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IPN70R1K4P7S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1400.0m?

IDpuls max：8.2A

VDS max：700.0V

ID max：4.0A

QG (typ @10V)：4.7 nC

Package：SOT-223

Operating Temperature min max：-40.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.14

Ptot max：6.2W

Polarity：N

Qgd：1.7 nC

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：160.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：SMT

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPN70R1K4P7S
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPN70R1K4P7S700V CoolMOS?a P7 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網1016.9 Kbytes共13頁IPN70R1K4P7S的PDF文件地址 IPN70R1K4P7S的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPN70R1K4P7SATMA1MOSFET CONSUMERInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1.15 Mbytes共13頁IPN70R1K4P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R1K4P7SATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPN70R1K4P7SATMA1MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網1010.75 Kbytes共13頁IPN70R1K4P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R1K4P7SATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPN70R1K4P7SATMA1連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 40uA 漏源導通電阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W(Tc) 類型：N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網1010.33 Kbytes共13頁IPN70R1K4P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R1K4P7SATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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