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IPN70R600P7S
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-SOT223-3

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:1

RDS (on) max:600.0m?

IDpuls max:20.5A

VDS max:700.0V

ID max:8.5A

QG (typ @10V):10.5 nC

Package:SOT-223

Operating Temperature min max:-40.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k:0.21

Ptot max:6.9W

Polarity:N

Qgd:3.7nC

Pin Count:3.0 Pins

RthJA max:160.0K/W

VGS(th) min max:2.5 V 3.5 V

Mounting:SMT

Special Features:price/performance

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPN70R600P7S
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPN70R600P7S700V CoolMOS?a P7 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1007.88 Kbytes共13頁IPN70R600P7S的PDF文件地址 IPN70R600P7S的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R600P7SATMA1MOSFET CONSUMERInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.18 Mbytes共13頁IPN70R600P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R600P7SATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R600P7SATMA1MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1001.73 Kbytes共13頁IPN70R600P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R600P7SATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN70R600P7SATMA1連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):8.5A 漏源電壓(Vdss):700V 柵源極閾值電壓:3.5V @ 90uA 漏源導(dǎo)通電阻:600mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.9W 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)1000.91 Kbytes共13頁IPN70R600P7SATMA1的PDF文件地址 IPN70R600P7SATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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