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IPN80R2K4P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-3

Packing Type：TAPE & REEL

ID max：2.5 A

QG (typ @10V)：7.5 nC

Package：SOT-223

Operating Temperature min max：-55.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k：0.22

Ptot max：6.3 W

Polarity：N

Qgd：3.4 nC

IDpuls max：5.3 A

VDS max：800.0 V

RDS (on) (@10V) max：2400.0 m?

Pin Count：3.0 Pins

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：SMT

Coss：3.8 pF

Ciss：150.0 pF

RthJA max：160.0 K/W

Special Features：price/performance

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPN80R2K4P7
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IPN80R2K4P7ATMA1MOSFET LOW POWER_NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.20 Mbytes共13頁IPN80R2K4P7ATMA1的PDF文件地址 IPN80R2K4P7ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPN80R2K4P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.14 Mbytes共13頁IPN80R2K4P7ATMA1的PDF文件地址 IPN80R2K4P7ATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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