制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:PLUS-264-3
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:300 V
Id-連續(xù)漏極電流:170 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:258 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.25 kW
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:26.59 mm
長度:20.29 mm
系列:IXFB170N30
類型:Polar Power MOSFET HiPerFET
寬度:5.31 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:57 S
下降時間:16 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:29 ns
工廠包裝數(shù)量:25
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:79 ns
典型接通延遲時間:41 ns
單位重量:1.600 g