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IXFA8N85XHV
規(guī)格信息:

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263HV-2

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:850 V

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:850 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:17 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

系列:X-Class

晶體管類型:1 N-Channel

商標:IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:2.7 S

下降時間:23 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:25 ns

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:32 ns

典型接通延遲時間:15 ns

單位重量:2.500 g

介紹圖IXFA8N85XHV
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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