制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.75 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:92 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:250 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:4.83 mm
長度:9.65 mm
系列:IXFA6N120
類型:Polar HiPerFET Power MOSFET
寬度:10.41 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:3 S
下降時(shí)間:14 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:11 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns
典型接通延遲時(shí)間:24 ns
單位重量:2.300 g