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IXFA4N100Q
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HyperFET

封裝:Tube

高度:4.83 mm

長度:10.41 mm

系列:IXFA4N100

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.65 mm

商標:IXYS

下降時間:18 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:15 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:32 ns

典型接通延遲時間:17 ns

單位重量:1.600 g

IXFA4N100Q

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IXFA4N100Q	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class	IXYS[IXYS Corporation]	79.37 Kbytes	共4頁	IXFN73N30Q,IXFH80N15Q,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFR44N50Q,IXFH9N80Q,IXFH15N100Q,IXFH40N30Q,IXFK44N55Q,IXFH16N90Q	產(chǎn)品購買
IXFA4N100Q_11	HiperFET Power MOSFETs Q-Class	IXYS[IXYS Corporation]	149.11 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
IXFA4N100Q-TRL	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263	IXYS	193.10 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買