FET 類型:N 溝道
技術:MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）:300V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1000
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2040pF @ 25V
Vgs（最大值）:±20V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:347W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 18A，10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型:表面貼裝
供應商器件封裝:TO-263AA
封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB