包裝管件
系列HiPerFET?
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）12A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）310 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）18.5nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1134pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）180W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝TO-263AA
封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB