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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導通電阻:740 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:4.5 mm

長度:9.9 mm

系列:IXFA10N60P

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.2 mm

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:11 S

下降時間:21 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:27 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:65 ns

典型接通延遲時間:23 ns

單位重量:1.600 g