通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：3.5 A
最大漏源電壓：850 V
最大漏源電阻值：2.5 0hms
最大柵閾值電壓：5.5V
最小柵閾值電壓：3.5V
最大柵源電壓：±30 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
安裝類型：表面貼裝
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：2 + Tab
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：150 W
典型接通延遲時(shí)間：13 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：28 ns
典型輸入電容值@Vds：305 pF @ 25 V
典型柵極電荷@Vgs：7 @ 10 V nC
系列：HiperFET
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
寬度：10.92mm
長度：10.41mm
高度：4.7mm
尺寸：10.41 x 10.92 x 4.7mm
正向跨導(dǎo)：2S
正向二極管電壓：1.4V
最高工作溫度：+150 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs