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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:5 A

Rds On-漏源導通電阻:2.8 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:6 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:33.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:4.83 mm

長度:9.65 mm

系列:IXFA5N100

類型:Polar Power MOSFET HiPerFET

寬度:10.41 mm

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:2.4 S

下降時間:37 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:30 ns

典型接通延遲時間:12 ns

單位重量:2.300 g