制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:PLUS-264-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:150 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.7 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:430 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.56 kW
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:650V Ultra Junction X2
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:56 S
下降時間:11 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:25
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:88 ns
典型接通延遲時間:62 ns
單位重量:7.500 g