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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:PLUS-264-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:49 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:255 nC

Pd-功率耗散:1.56 kW

配置:Single

商標(biāo)名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:IXFB100N50

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

商標(biāo):IXYS

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:250 ns

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:25

子類(lèi)別:MOSFETs

單位重量:1.600 g