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IPB096N03LG
規(guī)格信息：

包裝：3TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：30 V

最大連續(xù)漏極電流：35 A

RDS -于：9.6@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導(dǎo)通延遲時間：4 ns

典型上升時間：3.2 ns

典型關(guān)閉延遲時間：16 ns

典型下降時間：2.6 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel

介紹圖IPB096N03LG
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IPB096N03LGOptiMOS3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)299.83 Kbytes共10頁IPB096N03LG的PDF文件地址 IPB096N03LG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB096N03LGOptiMOS3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)634.07 Kbytes共10頁IPB096N03LG的PDF文件地址 IPB096N03LG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB096N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)294.14 Kbytes共10頁IPB096N03LGATMA1的PDF文件地址 IPB096N03LGATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB096N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 35A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)294.14 Kbytes共10頁IPB096N03LGATMA1的PDF文件地址 IPB096N03LGATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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