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IPB083N10N3G
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商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）100V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）80A(Tc)

柵源極閾值電壓3.5V @ 75uA

漏源導(dǎo)通電阻8.3mΩ @ 73A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）125W(Tc)

類型N溝道

介紹圖IPB083N10N3G
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IPB083N10N3GOptiMOSa?￠3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)480.83 Kbytes共12頁IPB083N10N3G的PDF文件地址 IPB083N10N3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPB083N10N3GATMA1MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)762.17 Kbytes共12頁IPB083N10N3GATMA1的PDF文件地址 IPB083N10N3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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