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IPB081N06L3G
規(guī)格信息：

包裝：3TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：60 V

最大連續(xù)漏極電流：50 A

RDS -于：8.1@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導通延遲時間：15 ns

典型上升時間：26 ns

典型關閉延遲時間：37 ns

典型下降時間：7 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標準包裝：Tape & Reel

介紹圖IPB081N06L3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPB081N06L3GOptiMOSa?￠3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)433.55 Kbytes共11頁IPB081N06L3G的PDF文件地址 IPB081N06L3G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB081N06L3GOptiMosTM3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)700.13 Kbytes共10頁IPB081N06L3G的PDF文件地址 IPB081N06L3G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB081N06L3GATMA1MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)681.25 Kbytes共10頁IPB081N06L3GATMA1的PDF文件地址 IPB081N06L3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB081N06L3GATMA1MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)683.17 Kbytes共10頁IPB081N06L3GATMA1的PDF文件地址 IPB081N06L3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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