標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:OptiMOS??
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2653pF @ 15V
功率 - 最大值:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
其它名稱:IPB06N03LAINTRSP000016269
IPB06N03LA
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB06N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 347.1 Kbytes | 共10頁 | IPD05N03LA,IPI05N03LA,SPD15N06S2L-64,SPD50N06S2L-13,SPI100N03S2-03,SPP100N06S2L-05,SPD22N08S2L-50,SPD100N03S2L-04,SPI100N03S2L-03,SPP100N08S2-07 | 產(chǎn)品購買 | |||
| IPB06N03LA G | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | Infineon Technologies | 276.20 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| IPB06N03LAG | OptiMOS??2 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 276.79 Kbytes | 共9頁 | IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LB,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB09N03LAG | 產(chǎn)品購買 | |||
| IPB06N03LAT | MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 | Infineon Technologies | 276.20 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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