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IPB054N08N3G
規(guī)格信息：

包裝：3TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：80 V

最大連續(xù)漏極電流：80 A

RDS -于：5.4@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：18 ns

典型上升時(shí)間：66 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：38 ns

典型下降時(shí)間：10 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel

介紹圖IPB054N08N3G
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IPB054N08N3GOptiMOS 3 Power-Transistor Features N-channel, normal level INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)526.21 Kbytes共11頁IPB054N08N3G的PDF文件地址 IPB054N08N3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB054N08N3GIsc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)244.86 Kbytes共2頁IPB054N08N3G的PDF文件地址 IPB054N08N3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB054N08N3GATMA1MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1021.43 Kbytes共11頁IPB054N08N3GATMA1的PDF文件地址 IPB054N08N3GATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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