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IPB050N06NG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:30 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:31 ns

系列:IPB050N06

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:59 ns

典型接通延遲時(shí)間:21 ns

零件號(hào)別名:IPB050N06NGATMA1

IPB050N06NG

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠(chǎng)商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB050N06NG	OptiMOSa?￠ Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification	INFINEON[Infineon Technologies AG]	417.01 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB050N06NG	OptiMOS?? Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	451.32 Kbytes	共10頁(yè)	IPD350N06LG,IPB048N06LG,IPD400N06NG,IPB065N06LG,IPD640N06LG,IPB070N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06NG,IPP80N04S2-04,IPB080N06NG	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB050N06NGATMA1	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	Infineon Technologies	376.16 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB050N06NGATMA1	MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK	Infineon Technologies	376.16 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)