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IPB065N15N3G
規(guī)格信息：

Status：Active

包裝：4TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：150 V

最大連續(xù)漏極電流：130 A

RDS -于：6.5@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導通延遲時間：25 ns

典型上升時間：35 ns

典型關閉延遲時間：46 ns

典型下降時間：14 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

介紹圖IPB065N15N3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPB065N15N3GOptiMOS3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)643.18 Kbytes共9頁IPB065N15N3G的PDF文件地址 IPB065N15N3G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB065N15N3GATMA1N-Channel, normal level INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)643.18 Kbytes共9頁IPB065N15N3GATMA1的PDF文件地址 IPB065N15N3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB065N15N3GE8187ATMA1MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)637.54 Kbytes共9頁IPB065N15N3GE8187ATMA1的PDF文件地址 IPB065N15N3GE8187ATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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