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IPB06N03LB
規(guī)格信息:

標準包裝:1,000

類別:分立半導體產品

家庭:FET - 單

系列:OptiMOS??

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.3 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2782pF @ 15V

功率 - 最大值:83W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:P-TO263-3

其它名稱:IPB06N03LBTSP000065274

介紹圖IPB06N03LB
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPB06N03LBOptiMOS??2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)279.42 Kbytes共9頁IPB06N03LB的PDF文件地址IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB09N03LAG IPB06N03LB的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPB06N03LB GMOSFET N-CH 30V 50A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)278.84 Kbytes共9頁IPB06N03LB G的PDF文件地址 IPB06N03LB G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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