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IPB075N04LG
規(guī)格信息：

包裝：3TO-263

通道模式：Enhancement

最大漏源電壓：40 V

最大連續(xù)漏極電流：50 A

RDS -于：7.5@10V mOhm

最大門源電壓：±20 V

典型導通延遲時間：5.7 ns

典型上升時間：3.4 ns

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns

典型下降時間：3.6 ns

工作溫度：-55 to 175 °C

安裝：Surface Mount

標準包裝：Tape & Reel

介紹圖IPB075N04LG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPB075N04LGOptiMOSa?￠3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)208.4 Kbytes共9頁IPB075N04LG的PDF文件地址 IPB075N04LG的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPB075N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)445.63 Kbytes共9頁IPB075N04LGATMA1的PDF文件地址 IPB075N04LGATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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