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IPB090N06N3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:9 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:40 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:1000

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GXT SP000398042

介紹圖IPB090N06N3G
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IPB090N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)687.98 Kbytes共10頁IPB090N06N3GATMA1的PDF文件地址 IPB090N06N3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPB090N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)687.98 Kbytes共10頁IPB090N06N3GATMA1的PDF文件地址 IPB090N06N3GATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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