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FDG6332C
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:700 mA

Rds On-漏源導通電阻:300 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDG6332C

晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:1.25 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:2.8 S, 1.8 S

下降時間:7 ns, 14 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7 ns, 14 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:9 ns, 6 ns

典型接通延遲時間:5 ns, 5.5 ns

零件號別名:FDG6332C_NL

單位重量:28 mg

介紹圖FDG6332C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FDG6332C20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)93.06 Kbytes共8頁FDG6332C的PDF文件地址FDC6420C,FDG6335N,FDW262P,FDC6333C,FDC6392S,SI6433DQ,FDS8333C,SI6953DQ,FDP6021P,FDR8702H FDG6332C的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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