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FDG6301N_F085
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 陣列

系列:-

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):25V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):220mA

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 220mA,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.4nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9.5pF @ 10V

功率 - 最大值:300mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6

其它名稱:FDG6301N_F085-NDFDG6301N_F085TR

介紹圖FDG6301N_F085
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FDG6301N-F085MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6ON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)620.8 Kbytes共6頁FDG6301N-F085的PDF文件地址 FDG6301N-F085的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDG6301N-F085PMOSFET N-Channel Power MosfetON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)606.40 Kbytes共5頁FDG6301N-F085P的PDF文件地址 FDG6301N-F085P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDG6301N-F085PDUAL NMOS SC70-6 25V 4OHMON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)620.8 Kbytes共6頁FDG6301N-F085P的PDF文件地址 FDG6301N-F085P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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