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FDG328P
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:120 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:750 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長(zhǎng)度:2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDG328P

晶體管類(lèi)型:1 P-Channel

類(lèi)型:MOSFET

寬度:1.25 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S

下降時(shí)間:12 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns

典型接通延遲時(shí)間:9 ns

零件號(hào)別名:FDG328P_NL

單位重量:28 mg

介紹圖FDG328P
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG328PHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON) TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)111.93 Kbytes共2頁(yè)FDG328P的PDF文件地址 FDG328P的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG328PP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)76.76 Kbytes共5頁(yè)FDG328P的PDF文件地址FDG6306P,FDW2506P,SI3441DV,USB10H,FDN302P,SI3443DV,FDN308P,FDC602P,SI4463DY,FDW252P FDG328P的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG328P相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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