FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：7.7nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：405pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
FET 功能：肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：142 毫歐 @ 2.3A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（1.6x1.6）
封裝/外殼：6-uFDFN 裸露焊盤
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs