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FET 類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：435pF @ 10V

FET 功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（2x2）

封裝/外殼：6-VDFN 裸露焊盤

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs