FET 類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：435pF @ 10V
FET 功能：肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：MicroFET 2x2 薄型
封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs