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FDG1024NZ
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:321 mOhms

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Dual

商標(biāo)名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長(zhǎng)度:2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDG1024NZ

晶體管類型:2 N-Channel

類型:Power Trench MOSFET

寬度:1.25 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:4 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns

典型接通延遲時(shí)間:3.7 ns

單位重量:28 mg

FDG1024NZ

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG1024NZ	Very low level gate drive requirements allowing operation in 3 V circuits (VGS(th) 1.5 V)	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	404.35 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG1024NZ	Dual N-Channel PowerTrench?? MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	298.71 Kbytes	共7頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG1024NZ	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	932.61 Kbytes	共7頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)