FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：600mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：153pF @ 50V
功率耗散（最大值）：420mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 毫歐 @ 600mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：SC-70-6
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs