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FDG6301N
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:220 mA

Rds On-漏源導通電阻:4 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDG6301N

晶體管類型:2 N-Channel

類型:FET

寬度:1.25 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:0.2 S

下降時間:4.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:4.5 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:4 ns

典型接通延遲時間:5 ns

零件號別名:FDG6301N_NL

單位重量:28 mg

FDG6301N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
FDG6301N	Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) 1.5 V).	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	393.36 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N	Dual N-Channel, Digital FET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	226.61 Kbytes	共8頁	FDG6303N,FDC6301N,FDG6313N,FDC6303N,FDC6320C,3SK317,PMWD20XN,FDC6321C,3SK318,FDC6322C	產(chǎn)品購買
FDG6301N	Dual N-Channel, Digital FET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	351.8 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N_09	Dual N-Channel, Digital FET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	351.8 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N_D87Z	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	ON Semiconductor	198.95 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N_F085	Dual N-Channel, Digital FET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	351.8 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N-F085	MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive	ON Semiconductor / Fairchild	621.47 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N-F085	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	ON Semiconductor	620.8 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N-F085P	MOSFET N-Channel Power Mosfet	ON Semiconductor	606.40 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
FDG6301N-F085P	DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM	ON Semiconductor	620.8 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買