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FDG6316P
規(guī)格信息:

系列:FDG

單位重量:28 mg

高度:1.1 mm

長度:2 mm

類型:MOSFET

寬度:1.25 mm

最大工作溫度:+ 150 C

最小工作溫度:- 55 C

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

零件號別名:FDG6316P_NL

商標(biāo)名:PowerTrench

配置:Dual

典型接通延遲時間:5 ns

上升時間:13 ns

Vgs-柵極-源極電壓:8 V

Pd-功率耗散:300 mW

通道數(shù)量:2 Channel

Id-連續(xù)漏極電流:- 700 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:- 12 V

晶體管類型:2 P-Channel

RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:270 mOhms

通道模式:Enhancement

晶體管極性:P-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:8 ns

正向跨導(dǎo)-最小值:2.5 S

FET類型:2 個 P 溝道(雙)

FET功能:邏輯電平門

電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):700mA

不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):270 毫歐 @ 700mA,4.5V

不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.4nC @ 4.5V

不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):146pF @ 6V

功率-最大值:300mW

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-70-6

封裝形式Package:SC-70

極性Polarity:P-CH

漏源極擊穿電壓VDSS:12V

連續(xù)漏極電流ID:0.7A

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖FDG6316P
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDG6316PHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON) TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)259.38 Kbytes共2頁FDG6316P的PDF文件地址 FDG6316P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDG6316PP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)149.58 Kbytes共5頁FDG6316P的PDF文件地址SI3445DV,FDC604P,SI3447DV,FDC606P,SI4467DY,FDC6312P,SI6467DQ,FDC6318P,FDD306P,FDG326P FDG6316P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDG6316PDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1674.92 Kbytes共7頁FDG6316P的PDF文件地址 FDG6316P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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