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FDG6304P
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:410 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.1 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長(zhǎng)度:2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:FDG6304P

晶體管類型:2 P-Channel

類型:FET

寬度:1.25 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:0.9 S

下降時(shí)間:8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:8 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:55 ns

典型接通延遲時(shí)間:7 ns

零件號(hào)別名:FDG6304P_NL

單位重量:28 mg

FDG6304P

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG6304P	Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits (VGS(th) 1.5 V).	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	490.43 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG6304P	Dual P-Channel, Digital FET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	227.13 Kbytes	共8頁(yè)	FDG6302P,FDG6318P,FDG6318PZ,FDC6302P,FDC6304P,FDC6320C,ELM14801AA,FDC6321C,FDC6322C,FDG314P	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG6304P_D87Z	MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6	ON Semiconductor	198.18 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDG6304P-F169	INTEGRATED CIRCUIT	ON Semiconductor	455.85 Kbytes	共5頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)