制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-323-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續(xù)漏極電流:220 mA, 410 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:300 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長度:2 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:FDG6322C
晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel
類型:FET
寬度:1.25 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.2 S, 0.9 S
下降時(shí)間:4.5 ns, 8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:4.5 ns, 8 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:4 ns, 55 ns
典型接通延遲時(shí)間:5 ns, 7 ns
零件號別名:FDG6322C_NL
單位重量:28 mg
FDG6322C
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
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