Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：100V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS：125 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：17.16nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：859pF @ 50V
功率 - 最大：2.11W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：3DPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：100 V
最大連續(xù)漏極電流：6.4 A
RDS -于：125@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：4.9 ns
典型上升時間：3.7 ns
典型關(guān)閉延遲時間：17.7 ns
典型下降時間：9.4 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：6.22(Max)
PCB：2
最大功率耗散：2110
最大漏源電壓：100
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：125@10V
每個芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：DPAK
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：6.73(Max)
引腳數(shù)：3
包裝高度：2.39(Max)
最大連續(xù)漏極電流：6.4
封裝：Tape and Reel
標(biāo)簽：Tab
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：34W
匹配代碼：ZXMN10A25KTC
R（ THJC ）：n.s.K/W
LogicLevel：YES
單位包：2500
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：16 weeks
最小起訂量：2500
Q（克）：17.16nC
LLRDS （上）：0.150Ohm
汽車：NO
LLRDS （上）在：6V
我（D ）：6.4A
V（ DS ）：100V
技術(shù)：FastSwitch
的RDS（on ） at10V：0.125Ohm
無鉛Defin：RoHS-conform
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：4.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3
其他名稱：ZXMN10A25KTCTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：125 mOhm @ 2.9A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2.11W
漏極至源極電壓（Vdss）：100V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：859pF @ 50V
閘電荷（Qg ） @ VGS：17.16nC @ 10V
封裝/外殼：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：2500
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：6.4 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：125 mOhms
功率耗散：2.11 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：DPAK
上升時間：3.7 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：100 V