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產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Switches for Power Processing

標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)

系列：-

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：N 溝道

電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）：40V

漏源極電壓（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）：200µA @ 10V

漏極電流（Id） - 最大值：-

不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：2V @ 1nA

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：3pF @ 10V

電阻 - RDS（開）：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值：225mW

其它名稱：MMBF4119-NDMMBF4119TR