Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：300mA
Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
FET Feature：Logic Level Gate
FET Type：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs：2.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：50pF @ 5V
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max：225mW
Product Change Notification：View
Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package：SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：2.4V @ 250μA
最大門(mén)源電壓：±20
最大漏源電壓：20
最高工作溫度：150
通道模式：Enhancement
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-23
最低工作溫度：-55
渠道類型：P
封裝：Tape and Reel
最大漏源電阻：1400@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
供應(yīng)商封裝形式：SOT-23
最大功率耗散：225
最大連續(xù)漏極電流：0.3
引腳數(shù)：3
鉛形狀：Gull-wing