標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:-
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 歐姆 @ 200mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.7nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 5V
功率 - 最大值:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應(yīng)商器件封裝:SC-70-3(SOT323)
其它名稱:MMBF2202PT1GOSMMBF2202PT1GOS-NDMMBF2202PT1GOSTR
MMBF2202PT1G
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBF2202PT1G | Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life | TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd] | 101.31 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| MMBF2202PT1G | Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P-Channel SC-70/SOT-323 | ONSEMI[ON Semiconductor] | 59.64 Kbytes | 共4頁 | MMBF2201NT1_06,MMBF0201NLT1_06,NTMD6P02R2,MGSF1N02LT1_05,BUZ907D,VQ3001,STS5PF30L_07,NTTD1P02R2,NTD60N03,MTP23P06V | 產(chǎn)品購買 |
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