FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：500mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：60pF @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：225mW（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5 歐姆 @ 200mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封裝形式Package：SOT-23
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：0.5A
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：60pF @ 10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 200mA，10V
FET 類型：N 溝道
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：500mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs